载流子吸收对SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响 |
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引用本文: | 严清峰,余金中. 载流子吸收对SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响[J]. 半导体学报, 2002, 23(12) |
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作者姓名: | 严清峰 余金中 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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摘 要: | 分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响,并提出了改进器件性能的一些措施.
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关 键 词: | SOI 等离子色散效应 载流子吸收 Mach-Zehnder干涉 电光调制器 |
Effects of Carriers Absorption on Mach-Zehnder Interferometer Electrooptical Modulator in Silicon-on-Insulator |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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