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载流子吸收对SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响
引用本文:严清峰,余金中. 载流子吸收对SOIMach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响[J]. 半导体学报, 2002, 23(12)
作者姓名:严清峰  余金中
作者单位:中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器/开关性能的影响,并提出了改进器件性能的一些措施.

关 键 词:SOI  等离子色散效应  载流子吸收  Mach-Zehnder干涉  电光调制器

Effects of Carriers Absorption on Mach-Zehnder Interferometer Electrooptical Modulator in Silicon-on-Insulator
Abstract:
Keywords:
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