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C波段高集成高功率GaN T/R模块研究
引用本文:李小春.C波段高集成高功率GaN T/R模块研究[J].舰船电子对抗,2016(4):110-112.
作者姓名:李小春
作者单位:中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051
摘    要:采用ADS软件仿真设计了一种基于GaAs小信号单片微波集成电路(MMIC)、GaN大功率MMIC和多层复合介质板的C波段小型化发射/接收(T/R)模块,实现了微波信号的放大、收发控制、数字幅相控制及+28 V高压电源调制的一体化,具有小体积、轻量化、低噪声、高功率、高效率等特点.TR模块尺寸为33 mm×65 mm×10 mm,在C波段实现指标为:发射功率50 W,功率附加效率28%,接收增益37 dB,噪声系数3 dB.

关 键 词:GaN功放芯片  单片微波集成电路  发射/接收模块

Study of C Band High Integration & High Power GaN T/R Module
LI Xiao-chun.Study of C Band High Integration & High Power GaN T/R Module[J].Shipboard Electronic Countermeasure,2016(4):110-112.
Authors:LI Xiao-chun
Affiliation:LI Xiao-chun;The 13th Research Institute,CETC;
Abstract:
Keywords:
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