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| 高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究 | |
| 作者姓名： | 钱家骏 陈涌海 孙明方 王占国 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 |
| 摘 要： | 利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污． |
| 关 键 词： | 砷化镓 光热电离谱 外延材料 |
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