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一种消除X波段低噪声放大器低频振荡的方法
引用本文:郝明丽, 刘训春, 黄清华, 王宇晨,. 一种消除X波段低噪声放大器低频振荡的方法[J]. 电子器件, 2007, 30(2): 507-510
作者姓名:郝明丽   刘训春   黄清华   王宇晨  
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029
摘    要:为了消除X波段低噪声放大器(LNA)设计中在低频端产生的振荡,提出了在输入级HJ-FET管的栅极和源极之间跨接一定长度微带线的方法.通过优化微带线的长度从而消除了多级级联LNA电路中低频端产生的振荡,同时改善了电路的匹配特性,降低了输入端电压驻波比,使带内输入电压驻波比由1.868降低到1.403,提高了LNA工作的稳定性,而噪声性能仅有很小变化.

关 键 词:LNA  低频噪声  X波段
文章编号:1005-9490(2007)02-0507-04
修稿时间:2006-04-26

Method for Eliminating Low Frequency Oscillation in X-Band Low Noise Amplifier
HAO Ming-li,LIU Xun-chun,HUANG Qing-hu,WANG Yu-chen. Method for Eliminating Low Frequency Oscillation in X-Band Low Noise Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(2): 507-510
Authors:HAO Ming-li  LIU Xun-chun  HUANG Qing-hu  WANG Yu-chen
Affiliation:Institute of Microelectronics,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China
Abstract:An effective method for eliminating low frequency oscillation in X-Band low noise amplifier(LNA)is proposed,which uses a microstrip line with specific length to connect gate and source electrodes of HJ-FET in the input stage.The low frequency oscillation in our multistage X-band LNA circuit is eliminated by optimizing the length of the microstrip line.At the same time,the matching of the circuit is improved.Compared with the circuit without the microstrip line in the input stage,the input VSWR decreases from 1.868 to 1.403 and the stability is improved clearly while the noise performance of the circuit isn't deteriorated evidently.
Keywords:LNA  low frequency oscillation  X-band
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