| 基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性 |
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| 引用本文： | 赵晓锋,温殿忠.基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性[J].半导体学报,2005,26(6):1214-1217. |
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| 作者姓名： | 赵晓锋 温殿忠 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学集成电路重点实验室 哈尔滨1500
(赵晓锋)，黑龙江大学集成电路重点实验室 哈尔滨150080(温殿忠) |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论，结果表明，在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下，当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时，该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性．在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制．
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| 关 键 词： | MEMS S型负阻-振荡特性 硅磁敏三极管 雪崩倍增效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1214-04 |
| 修稿时间： | 2004年8月14日 |
Negative-Resistance Oscillations Characteristics of a New Type Silicon Magnetic Sensitive Transistor on MEMS |
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| Zhao Xiaofeng,Wen Dianzhong.Negative-Resistance Oscillations Characteristics of a New Type Silicon Magnetic Sensitive Transistor on MEMS[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6):1214-1217. |
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| Authors: | Zhao Xiaofeng Wen Dianzhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS negative-resistance oscillations characteristics silicon magnetic sensitive transistor avalanche multiplication effect |
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