多晶硅的点阵吸收带

多晶硅在300K和78K,7.5～20μm范围内的红外吸收峰的形状,频率和吸收峰对应的声子能量与单晶硅完全符合,也与文献报导的单晶硅的结果相符合,是多声子吸收引起的,因而晶界对红外吸收不敏感,因此多晶中氧、碳杂质的测定,仍可沿用单晶硅中氧含量测定的换算系数。