准集总元件阻抗匹配网络——用于小型宽带GaAsFET放大器

多倍频程场效应晶体管(FET)放大器的集总元件阻抗匹配网络已研制成。这种集总元件是以平行极板电容和高阻抗线蚀刻在两块10密耳厚的氧化铝衬底上来实现的。S波段至K_u波段的各种低噪声和功率放大器均用这种方法制造。在2—12和4—18 GHz频带范围内,这种功率放大器的增益为4dB,其输出功率大于1/2瓦。