| 溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究 |
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| 引用本文： | 唐逸,杨春生,马骏.溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究[J].微细加工技术,2006(1):32-35. |
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| 作者姓名： | 唐逸 杨春生 马骏 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 上海市纳米科技专项基金;教育部重点项目;上海市AM基金 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 膜厚 介电性能 |
| 文章编号： | 1003-8213(2006)01-0032-04 |
| 修稿时间： | 2005年7月11日 |
Electric Properties of RF Sputtered Barium Strontium Titanate Thin Film |
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| TANG Yi,YANG Chun-sheng,MA Jun.Electric Properties of RF Sputtered Barium Strontium Titanate Thin Film[J].Microfabrication Technology,2006(1):32-35. |
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| Authors: | TANG Yi YANG Chun-sheng MA Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BST |
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