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| 500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理 | |
| 引用本文： | 陈,钊.500kVCVT电磁单元部分单点发热缺陷分析处理[J].电工技术,2017(4):168-169. |
| 作者姓名： | 陈 钊 |
| 作者单位： | 国网河北省电力公司检修分公司,石家庄,050070 |
| 摘 要： | 针对一起500kV CVT电磁单元部分单点发热缺陷,经专项试验排除速饱和阻尼器本身故障后提出速饱和阻尼器与箱体触碰产生涡流发热的假设,并通过解体证实了该假设。 |
| 关 键 词： | 单点发热 速饱和阻尼器 涡流 |
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