| 工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 辛荣生,林钰. 工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响[J]. 稀有金属, 2005, 29(6): 931-933 |
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| 作者姓名： | 辛荣生 林钰 |
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| 作者单位： | 1. 郑州大学材料科学与工程学院,河南,郑州,450052
2. 河南教育学院化学系,河南,郑州,450014 |
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| 基金项目： | 河南省科技攻关项目（0224380029） |
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| 摘 要： | 研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm.min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4Ω.cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ITO膜 电阻率 透光率 |
| 文章编号： | 0258-7076（2005）06-0931-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-06 |
| 修稿时间： | 2005-04-062005-05-29 |
Influence of Technological Factors on Electrical and Optical Properties of ITO Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Method |
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| Xin Rongsheng,Lin Yu. Influence of Technological Factors on Electrical and Optical Properties of ITO Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Method[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2005, 29(6): 931-933 |
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| Authors: | Xin Rongsheng Lin Yu |
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| Affiliation: | Xin Rongsheng~ |
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| Keywords: | magnetron sputtering ITO film resistivity transmissivity |
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