| 新型侧壁绝缘体硅微机械工艺 |
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| 引用本文： | 程保罗,李昕欣,王跃林,焦继伟,车录锋,张鲲,戈肖鸿,宋朝晖.新型侧壁绝缘体硅微机械工艺[J].仪表技术与传感器,2005(1):7-9. |
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| 作者姓名： | 程保罗 李昕欣 王跃林 焦继伟 车录锋 张鲲 戈肖鸿 宋朝晖 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学信息与电子工程学系,浙江,杭州,310027;中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海,200050
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委资助项目(60204002) |
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| 摘 要： | 介绍了一种全新的体硅微机械工艺，可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充，并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨，并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理，器件的压阻敏感电阻部分，通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。
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| 关 键 词： | 微机电系统 体硅工艺 侧壁扩散 绝缘工艺 加速度传感器 |
| 文章编号： | 1002-1841(2005)01-0007-03 |
| 修稿时间： | 2004年9月13日 |
New Bulk Silicon Micromaching Technology with Sidewall Isolation |
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| Cheng Bao-luo,Li Xin-xin,Wang Yue-lin,Jiao Ji-wei,Che Lu-feng,Zhang Kun,Ge Xiao-hong,Song Zhao-hui.New Bulk Silicon Micromaching Technology with Sidewall Isolation[J].Instrument Technique and Sensor,2005(1):7-9. |
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| Authors: | Cheng Bao-luo Li Xin-xin Wang Yue-lin Jiao Ji-wei Che Lu-feng Zhang Kun Ge Xiao-hong Song Zhao-hui |
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| Abstract: | Introduced a new bulk silicon micromaching technology to replace SOI wafer with normal silicon wafer in the application of sidewall electrical connection. DRIE was used to form an isolation trench that is filled by SiO2 layer. The SiO2 Bar was used to isolate the sidewall of device. The process design, possible problem, fabrication details of this technology were given with an example of accelerometer.The piezoresistor of the accelerometer was formed by sidewall impurity diffusion. |
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| Keywords: | MEMS Bulk Silicon Technology Sidewall Diffustion Isolation Technology Accelerometer |
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