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AgInS_2量子点研究进展
引用本文:谢翠萍,向卫东,骆乐,钟家松,赵斌宇,梁晓娟.AgInS_2量子点研究进展[J].功能材料,2014(4).
作者姓名:谢翠萍  向卫东  骆乐  钟家松  赵斌宇  梁晓娟
作者单位:同济大学材料科学与工程学院;温州大学化学与材料工程学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51272059);浙江省重点科技创新团队资助项目(2009R50010);温州市科技资助项目(G20110012)
摘    要:Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。

关 键 词:AgInS  半导体  量子点  研究进展
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