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微量SiO_2对PI/Al_2O_3复合薄膜性能的影响
作者姓名:李园园  刘立柱  翁凌  石慧  金镇镐  王诚
作者单位:哈尔滨理工大学材料科学与工程学院;哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室;
基金项目:黑龙江省教育厅科学研究重点资助项目(12511z007)
摘    要:通过固定纳米氧化铝(Al2O3)的含量,改变纳米氧化硅(SiO2)的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺(PI)/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。

关 键 词:聚酰亚胺  纳米AlO  纳米SiO  复合薄膜  耐电晕时间
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