|
|||||
|
|
| 多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究 | |
| 引用本文： | 李娟,刘政鹏,罗翀,孟志国,熊绍珍.多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究[J].功能材料,2014(3). |
| 作者姓名： | 李娟 刘政鹏 罗翀 孟志国 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61076006);国家高技术研究发展计划(863计划)专项资助项目(2008AA03A335) |
| 摘 要： | 研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明,多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。Hα具有较低的能量,主要钝化悬挂键类缺陷态;H*具有较高的能量,对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效;Hβ和Hγ具有的能量最高,可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化H等离子体钝化多晶硅的条件,进一步提高多晶硅性能。 |
| 关 键 词： | 多晶硅(poly-Si) 氢等离子体 缺陷态 钝化机理 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |