双靶共溅射制备Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的性质研究

采用双靶共溅射法,分别在不同衬底温度、沉积压强和溅射功率下制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜样品,并采用X射线衍射仪、X射线荧光光谱仪、扫描电子显微镜等方法对制备的Cd1-xZnxTe薄膜的结构、成分、形貌和光电学性质进行测试分析。结果表明,300℃衬底温度下制备的Cd1-xZnxTe薄膜成分单一,立方相结构,生长致密,表面颗粒平均大小约50nm,Cd1-xZnxTe薄膜在(111)晶面的2θ值及晶格常数与Zn组分呈线性关系。Cd1-xZnxTe薄膜的禁带宽度与组分x值呈线性关系。随着气压从8Pa降低至1Pa,Cd1-xZnxTe薄膜的晶粒尺寸增加,生长更加致密。Cd1-xZnxTe薄膜的室温电导率约为8.61×10-11(Ω·cm)-1,呈弱P型。