近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究 |
| |
引用本文: | 蔺云,介万奇,查钢强,张昊,周岩,汤三奇,李嘉伟.近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究[J].功能材料,2014(10). |
| |
作者姓名: | 蔺云 介万奇 查钢强 张昊 周岩 汤三奇 李嘉伟 |
| |
作者单位: | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室; |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51202197);国家重点基础研究专项基金资助项目(2011CB610406) |
| |
摘 要: | 采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
|
关 键 词: | 近空间升华法 CdZnTe外延厚膜 PL谱 应变弛豫 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|