| C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响 |
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| 引用本文： | 卞萍,孔春阳,李万俊,秦国平,张萍,徐庆.C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响[J].功能材料,2014(7). |
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| 作者姓名： | 卞萍 孔春阳 李万俊 秦国平 张萍 徐庆 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院;重庆市光电功能材料重点实验室;重庆大学物理学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61274128);重庆市自然科学基金资助项目(2011BA4031,2013jjB0023);重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ120608) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。
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| 关 键 词： | C掺杂ZnO 电学特性 XPS Raman |
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