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| 光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备 | |
| 引用本文： | 宁婕妤,刘邦武,夏洋,李超波.光诱导液相沉积Ni/Cu应用于晶硅电池栅线的制备[J].功能材料,2014(1). |
| 作者姓名： | 宁婕妤 刘邦武 夏洋 李超波 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所;微电子器件与集成技术重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61106060);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA052401);中国科学院知识创新工程重大资助项目(Y2YF028001) |
| 摘 要： | 采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征。结果显示,制备的Cu膜电阻率为1.87×10-8Ω·m,非均匀性为2.64%。此外,将制备的Ni/Cu工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用I-V测试仪测试电池参数,填充因子高达77.8%。 |
| 关 键 词： | 镍膜 铜膜 光诱导电沉积 表征 制备 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |