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杂志ISSN号
晶圆湿法蚀刻清洗工艺及流量控制发展
作者姓名:
谷康康
陶晓杰
作者单位:
1. 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院;2. 长鑫存储技术有限公司
摘 要:
对比两种集成电路制造湿法工艺设备的优缺点及未来发展趋势,对影响单片湿法清洗工艺中蚀刻率因素进行分析总结,介绍化学药液混合和制程喷吐中流量控制技术的发展,设计实验将两种化学药液流量控制阀件的蚀刻清洗效果对比,并对未来技术发展进行简要分析。
关 键 词:
集成电路
湿法蚀刻清洗
蚀刻率
化学药液
流量控制
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