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CdSe/PVK纳米晶薄膜及其电致发光特性
引用本文:刘舒曼,徐征,等.CdSe/PVK纳米晶薄膜及其电致发光特性[J].光电子.激光,2003,14(2):118-121.
作者姓名:刘舒曼  徐征
作者单位:北方交通大学光电子技术所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044
基金项目:国家自然科学基金(19974002),校人才基金(RC2002035)资助项目
摘    要:以巯基乙酸(RSH)为稳定剂,在水溶液中合成CdSe纳米晶,用表面活性剂将分散在水溶液中的纳米颗粒转移到有机溶剂中,与具有电荷输运性能的有机聚合材料复合。作为电致发光(EL)器件的工作层,得到较强的位于600nm附近的CdSe纳米晶的带边发射,以及较弱的位于420nm附近的来自聚合物的发射。器件EL强度首先随着外加电压的增加而增加,当电压超过26V时,EL强度开始下降。器件的电流-电压(I-V)特性基本符合二极管特性,表明器件是受载流子注入限制的。

关 键 词:CdSe/PVK纳米晶薄膜  电致发光  制备方法
文章编号:1005-0086(2003)02-0118-04
修稿时间:2002年9月4日

Electroluminescence of Nanosized CdSe/PVK Composite Films
Wageh S.Electroluminescence of Nanosized CdSe/PVK Composite Films[J].Journal of Optoelectronics·laser,2003,14(2):118-121.
Authors:Wageh S
Abstract:
Keywords:CdSe/PVK  nanocrystals  electroluminescence(EL)
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