| CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究 |
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| 引用本文： | 黄子宽,张怀武,唐晓莉.CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究[J].压电与声光,2015,37(3):460-463. |
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| 作者姓名： | 黄子宽 张怀武 唐晓莉 |
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| 作者单位： | （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50972023） |
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| 摘 要： | 采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。
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| 关 键 词： | 镍锌铁氧体基片 TaN薄膜电阻器 CAS玻璃釉 功率 |
Influence of Power on TaN Thin Film Resistors by CAS Glass Glaze |
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| HUANG Zikuan,ZHANG Huaiwu and TANG Xiaoli.Influence of Power on TaN Thin Film Resistors by CAS Glass Glaze[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(3):460-463. |
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| Authors: | HUANG Zikuan ZHANG Huaiwu and TANG Xiaoli |
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| Affiliation: | (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ni Zn ferrite substrate TaN thin film resistors CAS glass glaze power |
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