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单根CuTCNQ纳米线的电学开关特性
引用本文:李先懿,郑凯波,陈冠雨,莫晓亮,孙大林,陈国荣.单根CuTCNQ纳米线的电学开关特性[J].功能材料,2010,41(5).
作者姓名:李先懿  郑凯波  陈冠雨  莫晓亮  孙大林  陈国荣
作者单位:复旦大学,材料科学系,上海,200433
基金项目:国家自然科学基金,上海市重点学科资助项目,上海市科委纳米专项 
摘    要:用溶液法制备了CuTCNQ纳米线。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱(Raman)研究了CuTC-NQ纳米线的电荷转移情况。研究了其不同温度下的电学特性。CuTCNQ纳米线的长度为1~8μm,直径50~300nm。XRD结果显示制备得到的CuTCNQ为Ⅰ相。研究表明,在外加电场作用下,单根CuTCNQ纳米线表现出可逆的电开关特性,阻态转变前后其电阻的变化达3个数量级。高低阻态转变电场阈值约为1.8V/μm。另外,CuTCNQ纳米线的电阻随着温度的降低而增大,当温度低于临界值160K时,低阻态的CuTCNQ纳米线将出现负阻效应。

关 键 词:金属有机配合物  纳米线  电荷转移  开关特性  负阻效应

Electrical switching property of single CuTCNQ nanowire
LI Xian-yi,ZHENG Kai-bo,CHEN Guan-yu,MO Xiao-liang,SUN Da-lin,CHEN Guo-rong.Electrical switching property of single CuTCNQ nanowire[J].Journal of Functional Materials,2010,41(5).
Authors:LI Xian-yi  ZHENG Kai-bo  CHEN Guan-yu  MO Xiao-liang  SUN Da-lin  CHEN Guo-rong
Abstract:
Keywords:CuTCNQ
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