| 热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响 |
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| 引用本文： | 刘力锋,杨瑞霞,郭惠. 热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响[J]. 河北工业大学学报, 2001, 30(5): 35-38 |
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| 作者姓名： | 刘力锋 杨瑞霞 郭惠 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电气信息学院, |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目(601048) |
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| 摘 要： | 对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，可在样品中引入本征受主缺陷，并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻 率明显增加．这些受主缺陷的产生是由于高温和低 ＡＳ压条件下 ＧａＡｓ晶体中发生 Ａｓ间隙 原子的外扩散．提高热处理过程中的Ａｓ气压，可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化．
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| 关 键 词： | 半绝缘砷化镓 本征受主缺陷 砷间隙扩散 砷压 热处理 |
| 文章编号： | 1007-2373(2001)-05-0035-04 |
| 修稿时间： | 2001-06-04 |
The Annealing Effects on Electronic Properties for Undoped Semi-insulating LECGaAs |
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| LIU Li-Feng,YANG Rui-Xia,GUO Hui. The Annealing Effects on Electronic Properties for Undoped Semi-insulating LECGaAs[J]. Journal of Hebei University of Technology, 2001, 30(5): 35-38 |
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| Authors: | LIU Li-Feng YANG Rui-Xia GUO Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semi-insulating GaAs native acceptor defect As interstitial diffusion As pressure annealing |
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