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| 器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响 | |
| 引用本文： | 刘远,恩云飞,李斌,师谦. 器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2005, 23(5): 21-24 |
| 作者姓名： | 刘远 恩云飞 李斌 师谦 |
| 作者单位： | 1. 华南理工大学微电子研究所,广东,广州,510640;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610 2. 信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610 3. 华南理工大学微电子研究所,广东,广州,510640 |
| 摘 要： | 随着MOS器件的尺寸越做越小,其辐照效应也随即发生改变,对于小尺寸器件的辐照效应研究也就占据了一个非常重要的位置.对一些器件几何尺寸的辐照效应影响进行了综述. |
| 关 键 词： | 金属-氧化物-半导体 器件尺寸 辐照效应 |
| 文章编号： | 1672-5468(2005)05-0021-04 |
| 修稿时间： | 2005-04-08 |
Effects of MOS device dimension on radiation response |
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| LIU Yuan,EN Yun-fei,LI bin,SHI Qian. Effects of MOS device dimension on radiation response[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2005, 23(5): 21-24 | |
| Authors: | LIU Yuan EN Yun-fei LI bin SHI Qian |
| Abstract: | With the advanced process,the feature size of devices keeps diminishing,which leads to changes of the radiation effects in the MOS device.And now it is very important to study the radiation effects in small size devices.Some radiation effects dependence on the devices size will be reviewed. |
| Keywords: | MOS device dimension radiation effect |
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