| (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 |
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| 引用本文： | 胡桂青,孔翔,王乙潜,万里,段晓峰,陆沅,刘祥林. (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察[J]. 电子显微学报, 2002, 21(5): 699-700 |
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| 作者姓名： | 胡桂青 孔翔 王乙潜 万里 段晓峰 陆沅 刘祥林 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院北京电子显微镜实验室,中国科学院物理所,北京,100080
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 0 72 0 44 ) |
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| 摘 要： | 利用衍衬、ＳＡＥＤ、ＨＲＴＥＭ对在 (111)Ｓｉ上外延生长的六方ＧａＮ进行了观察分析。ＧａＮ外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) ＧａＮ (0 0 0 1) ＡｌＮ (111) Ｓｉ,[112 0 ]ＧａＮ [112 0 ]ＡｌＮ [110 ]Ｓｉ。ＧａＮ外延层中存在倒反畴。ＧａＮ中位错以刃型位错为主。Ｉｎ0 1Ｇａ0 9Ｎ ＧａＮ的多重量子阱结构 (ＭＱＷ )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4ｅＶ的直接带隙 ,ＧａＮ已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种…
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| 关 键 词： | （111）Si 外延生长 六方GaN TEM 氮化镓 硅衬底 透射电子显微镜 薄膜生长 |
TEM investigation of H-GaN grown on （111）Si |
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