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| C波段GaN高功率放大器设计 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 摘 要： | 采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增益大于11 d B,功率附加效率大于48%,功率合成效率比达到90%。 |
| 关 键 词： | GaN HEMT 内匹配 功率放大器 功率合成 |
Design of C-Band GaN High Power Amplifier |
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