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| Bi_(12)GeO_(20)晶体的电子辐射损伤机理 | |
| 引用本文： | 温树林,宋祥云.Bi_(12)GeO_(20)晶体的电子辐射损伤机理[J].电子显微学报,1988(1). |
| 作者姓名： | 温树林 宋祥云 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所，中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 摘 要： | 我们在以前指出,Bi_4Ge_3O_(12)晶体在电子辐射作用下其辐射损伤过程是:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→形成超结构。然而,在相同结构类型的Bi_(12)GeO_(20)晶体中,最近我们发现电子辐射损伤具有不同的过程;整个过程变为:原子位移,产生点缺陷→点缺陷运动和堆积→结构中Bi—O准八面体崩塌导致整个结构变成非晶态。 |
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