| MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究 |
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| 引用本文： | 陈长春,刘江锋,余本海,王林.MOCVD制备的氮化铪薄膜结构特性研究[J].核技术,2010,33(11). |
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| 作者姓名： | 陈长春 刘江锋 余本海 王林 |
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| 摘 要： | 以热氧化的p型硅(SiO2/Si)为衬底,运用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术以铪基金属有机源和高纯氨为反应气体在其上淀积HfNx薄膜样品。薄膜结构信息用RBS技术、XRD技术及X射线反射率(XRR)计等来表征。实验结果表明,HfNx薄膜中N与Hf原子组分比为1.15;薄膜为多晶薄膜且沿(111)方向择优生长;薄膜表面平整,与衬底界面粗糙度小。
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 氮化铪薄膜 卢瑟福背散射 X射线衍射技术 |
Structural characteristic of HfNx films fabricated by MOCVD |
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| CHEN Changchun,LIU Jiangfeng,YU Benhai,WANG Lin.Structural characteristic of HfNx films fabricated by MOCVD[J].Nuclear Techniques,2010,33(11). |
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| Authors: | CHEN Changchun LIU Jiangfeng YU Benhai WANG Lin |
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