|
|||||
|
|
| 1微米栅的砷化镓场效应晶体管 | |
| 作者姓名： | 小川正毅 袁明文 |
| 摘 要： | 砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管,作为微波晶体管(简称GaAsSBFET)比现存的硅双极晶体管具有更低的噪声和更好的高频特性,而引人注目,现在正迅速付之实用。为了得到GaAsSBFET良好的高频特性,应使用电子迁移率大的好的晶片,实现寄生损耗小、栅长短的结构。特别是对缩短栅长做了很大的努力,现正在研究接触曝光、 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |