20GHz频段单片GaAsFET低噪声放大器

研制出一种20GHz频段单片砷化镓场效应低噪声放大器。通过得到在半绝缘砷化镓衬底上的微带线传输特性来完成设计和制造。研制的羊片放大器由亚微米栅GaAsMESFET和在半绝缘砷化镓衬底上制作输入和输出分布参数匹配电路所构成,尺寸为2.75×1.45mm~2。在21GHz没有任何附加调节情况下得到了6.2dB噪声系数和7.5dB的相应增益。