硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能 |
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引用本文: | 陈大明, 胡利方, 时方荣, 孟庆森. 硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能[J]. 焊接学报, 2019, 40(2): 123-127. DOI: 10.12073/j.hjxb.2019400054 |
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作者姓名: | 陈大明 胡利方 时方荣 孟庆森 |
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作者单位: | 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原,030024;太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024;太原理工大学 先进镁基材料山西省重点实验室,太原 030024 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51405328) |
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摘 要: | 采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接. 两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值. 受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象. 利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物. 利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大. 断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧.
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关 键 词: | 阳极键合 硅-玻璃-硅 电子封装 键合强度 |
收稿时间: | 2017-10-08 |
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