| 深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法 |
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| 引用本文： | 夏增浪. 深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法[J]. 半导体技术, 1999, 24(3): 45-49 |
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| 作者姓名： | 夏增浪 |
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| 作者单位： | 北京微电子技术研究所,北京,100076 |
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| 摘 要： | 详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。
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| 关 键 词： | 深亚微米低压CMOS ESD保护电路 |
| 修稿时间： | 19980618) |
ESD Protection Methods for Deep-Submicron Low Voltage CMOS IC |
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| Xia Zenglang. ESD Protection Methods for Deep-Submicron Low Voltage CMOS IC[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(3): 45-49 |
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| Authors: | Xia Zenglang |
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| Abstract: | Several electrostatic discharge protection methods used in deep submic ron CMOS IC have been discussed.Their own features are compared.And the operating principle of a gate coupled PMOS triggered/NMOS triggered lateral silicon rectifier ESD circuit is described in details. |
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| Keywords: | IC |
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