| 双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制 |
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| 引用本文： | 曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明.双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制[J].真空,2007,44(3):19-23. |
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| 作者姓名： | 曾玉刚 韩根全 余金中 成步文 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是IV族半导体材料生长和研究的强有力工具。
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| 关 键 词： | 双生长室 化学气相淀积 准分子激光器 |
| 文章编号： | 1002-0322（2007）03-0019-05 |
| 修稿时间： | 2006-09-05 |
Development of double-chamber UHV/CVD system |
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| ZENG Yu-gang,HAN Gen-quan,YU Jin-zhong,Chen Bu-wen,ANG Qi-ming.Development of double-chamber UHV/CVD system[J].Vacuum,2007,44(3):19-23. |
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| Authors: | ZENG Yu-gang HAN Gen-quan YU Jin-zhong Chen Bu-wen ANG Qi-ming |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors ~ Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | The working principles,main specifications/construction and performance of the Double-chamber UHV/CVD system developed by ISCAS are introduced.Its main advantages include the double-chamber system for the growth of more semiconducting materials,excimer laser and multi-sources.It's a strong tool for the study on semiconductors especially the family IV. |
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| Keywords: | Double-chamber CVD excimer laser |
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