| 无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能 |
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| 引用本文： | 王美玉,梅云辉,李欣,郝柏森. 无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能[J]. 电源学报, 2023, 21(1): 195-201 |
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| 作者姓名： | 王美玉 梅云辉 李欣 郝柏森 |
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| 作者单位： | 天津大学材料科学与工程学院, 天津 300072;中国电子科技集团公司南京电子技术研究所, 南京 210039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51922075，U1966212，51877147） |
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| 摘 要： | 作为一种应用广泛的基板金属镀层，镍在烧结过程中易发生氧化，形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难，相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺，研究了在220～300℃烧结10～60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明：得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结，在270～300℃高温烧结30～60 min时镍氧化减缓，在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上，热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%，表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能，可以满足半导体电源模块的互连封装要求。
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| 关 键 词： | 半导体封装 IGBT电源模块 镀镍基板 无压低温烧结银 多尺度银焊膏 |
| 收稿时间： | 2020-10-26 |
| 修稿时间： | 2022-10-23 |
Mechanical, Thermal and Electrical Performances of IGBT Power Module with Pressureless Sintered-silver Die-attach on Nickel-metallization |
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| WANG Meiyu,MEI Yunhui,LI Xin,HAO Baisen. Mechanical, Thermal and Electrical Performances of IGBT Power Module with Pressureless Sintered-silver Die-attach on Nickel-metallization[J]. Journal of Power Supply, 2023, 21(1): 195-201 |
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| Authors: | WANG Meiyu MEI Yunhui LI Xin HAO Baisen |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China; Nanjing Institute of Electronic Technology, China Electronics Technology Group Corporation, Nanjing 210039, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor packaging IGBT power module nickel-metallization pressureless low-temperature silver sintering multiscale silver paste |
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