| CdZnTe衬底的退火改性技术研究北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 范叶霞,周振奇,刘江高,李振兴,侯晓敏,折伟林,王丛.CdZnTe衬底的退火改性技术研究北大核心CSCD[J].激光与红外,2023,53(1):79-83. |
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| 作者姓名： | 范叶霞 周振奇 刘江高 李振兴 侯晓敏 折伟林 王丛 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 针对高性能碲镉汞红外探测器对碲锌镉(CdZnTe)衬底质量需求的不断提升,采用高温-真空退火方式,对碲锌镉衬底进行退火改性研究。结果发现:碲锌镉衬底的红外透过率得到明显地改善,在红外波段(2.5~25μm)均达到60%以上;晶片中的第二相夹杂得到极大地改善,可实现无大于1μm的第二相夹杂,即可实现红外显微镜下夹杂不可见;Zn组分分布均匀性得到极大地改善,通过退火分压的调节,可实现衬底中Zn组分可调和Zn值的组分均匀分布,其中Zn组分可控制在0.044~0.051范围内,成分标准偏差可控制在0.001以下,衬底的组分可控和均匀分布为大面阵碲镉汞红外探测器的质量提升奠定了坚实的材料基础。
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| 关 键 词： | 碲锌镉(CdZnTe) 退火技术 性能改进 第二相夹杂 Zn组分 |
| 修稿时间： | 2022/3/15 0:00:00 |
Study on annealing modification technology of CdZnTe substrate |
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| FAN Ye-xi,ZHOU Zhen-qi,LIU Jiang-gao,LI Zhen-xing,HOU Xiao-min,SHE Wei-lin WANG Cong.Study on annealing modification technology of CdZnTe substrate[J].Laser & Infrared,2023,53(1):79-83. |
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| Authors: | FAN Ye-xi ZHOU Zhen-qi LIU Jiang-gao LI Zhen-xing HOU Xiao-min SHE Wei-lin WANG Cong |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro Optics,Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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