| ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N^＋ |
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| 引用本文： | 吴小山,林振金,姬成周,杨锡震.ION BEAM AND SIMS ANALYSIS ON DAMAGE OF GaAs DOPED WITH N^＋[J].核技术(英文版),1994,5(3):154-161. |
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| 作者姓名： | 吴小山 林振金 姬成周 杨锡震 |
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| 作者单位： | Department of Physics，Beijing Normal University;Institute of Low Energy Nuclear Physics，Beijing Noraml University，Beijing 100875，China |
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| 摘 要： | ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＡＮＤ ＳＩＭＳ ＡＮＡＬＹＳＩＳ ＯＮ ＤＡＭＡＧＥ ＯＦ ＧａＡｓ ＤＯＰＥＤ ＷＩＴＨ Ｎ~＋ＷｕＸｉａｏｓｈａｎ；ＬｉｎＺｈｅｎｊｉｎ；ＪｉＣｈｅｎｇｚｈｏｕ；ａｎｄＹａｎｇＸｉｚｈｅｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃ?..
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| 关 键 词： | 离子移动 二次离子质量质谱仪分析 深度探测 |
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