| 短沟道下共栅结构宽带CMOS LNA的设计 |
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| 引用本文： | 王小力,袁刚. 短沟道下共栅结构宽带CMOS LNA的设计[J]. 微电子学, 2009, 39(2) |
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| 作者姓名： | 王小力 袁刚 |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学,理学院,西安,710049;西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049
2. 西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目 |
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| 摘 要： | 基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征,研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能,并在0.18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器.流片测试结果表明,在1.8 V电源电压、4.1 mA工作电流下,该系统获得6.1 dB的最小噪声系数;综合性能与长沟道下相近,符合理论分析和设计要求.
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| 关 键 词： | 过量因子 共栅结构 低噪声放大器 宽带低噪声放大器 |
Research and Design of Common-Gate Wideband CMOS LNA |
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| WANG Xiaoli,YUAN Gang. Research and Design of Common-Gate Wideband CMOS LNA[J]. Microelectronics, 2009, 39(2) |
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| Authors: | WANG Xiaoli YUAN Gang |
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| Affiliation: | 1.School of Sciences;Xi'an Jiaotong University;Xi'an 710049;P.R.China;2.School of Electronic and Information Engineering;P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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