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| 双层CMOS工艺实现湿敏振荡器 | |
| 引用本文： | Param.,M 孙国梁.双层CMOS工艺实现湿敏振荡器[J].电子器件,1990(1):52-52. |
| 作者姓名： | Param. M 孙国梁 |
| 作者单位： | Physical Electronics Lab.Znafitwte of Quantum Electronics，ETH Honggebcrg HPT H9.8093Zurich.SwitzcrLand |
| 摘 要： | 本文提出了用双层多晶CMOS工艺来设计和制造湿度控制的多级振荡器.为电路所集成的一部分的温度传感头其结构为叉指状多晶硅电容结构.通过对标准版图的适当调整,便可实现传感器与CMOS工艺的兼容. |
| 关 键 词： | 湿敏振荡器 双层 CMOS |
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