N型掺硅砷化镓材料吸收系数的测量及其带尾的研究 |
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引用本文: | 刘成林,吴堃明.N型掺硅砷化镓材料吸收系数的测量及其带尾的研究[J].半导体光电,1980(2). |
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作者姓名: | 刘成林 吴堃明 |
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摘 要: | 引言吸收系数α是表征光在传播过程中由于媒质的吸收而衰减程度的参数,研究α问题是一个既古老又现实的问题,所谓现实是指它对于固体发光器件,是结构设计,工艺设计和器件光学参数研究的依据之一。我们测量N型GaAs:Si材料的吸收系数的目的在于了解在各种不同波长下,GaAs发光管的无源区中光被吸收的程度,并借助于吸收限附近的吸收变化规律定性地分析带尾的影响。同时本报告也给出了样品的制作方法及测量的方法。
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