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Te掺杂方钴矿CoSb3的溶剂热合成及电学性能
引用本文:糜建立,赵新兵,朱铁军,曹高劭.Te掺杂方钴矿CoSb3的溶剂热合成及电学性能[J].无机材料学报,2007,22(5):869-872.
作者姓名:糜建立  赵新兵  朱铁军  曹高劭
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
基金项目:国家自然科学基金(50471039);中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室课题(SKL200508SIC)
摘    要:以CoCl2,SbCl3和Te粉为原料,NaBH4为还原剂,用溶剂热方法合成了Te掺杂方钴矿CoSb(3-x)Tex(x=0,0.05,0.1,0.2,0.4)纳米粉末.研究发现,Te含量较高的样品(x≥0.2)有明显的CoTe2等杂相存在.CoSb(3-x)Tex合成粉末的粒径大小在40nm左右,热压后晶粒发生长大,平均晶粒尺寸约为300nm.电学性能测试表明Te掺杂方钴矿CoSb(3-x)Tex的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随着Te含量的增加而变小,电导率随着Te含量的增加而增大.在测试温度范围内,CoSb(2.8)Te(0.2)具有最高的功率因子,在773K温度下达到2.3×10^-3W·m^-1·K^-2.

关 键 词:方钴矿  溶剂热合成  Te掺杂CoSb3  热电材料
文章编号:1000-324X(2007)05-0869-04
收稿时间:2006-9-10
修稿时间:2006-09-10

Solvothermal Synthesis and Electrical Transport Properties of Te-doped CoSb3 Skutterudites
MI Jian-Li,ZHAO Xin-Bing,ZHU Tie-Jun,CAO Gao-Shao.Solvothermal Synthesis and Electrical Transport Properties of Te-doped CoSb3 Skutterudites[J].Journal of Inorganic Materials,2007,22(5):869-872.
Authors:MI Jian-Li  ZHAO Xin-Bing  ZHU Tie-Jun  CAO Gao-Shao
Affiliation:State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
Abstract:
Keywords:skutterudite  solvothermal synthesis  Te-doped CoSb3  thermoelectric materials
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