Mg^2＋离子对Sr2A12SiO7：Eu^2＋荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7：Eu^2＋荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7：Eu^2＋（x=0．1，0．2，0．4，0．6，0．8，1．0）荧光体。XRD分析及晶格常数计算结果表明，Eu^2＋离子部分取代Sr^2＋格位进入Sr2Al2SiO7晶格。Sr2Al2SiO7：Eu^2＋荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成，属于Eu^2＋的4f→5d跃迁吸收带；发射光谱主峰位于约500nm，属于Eu^2＋离子4f^65d→4f^7跃迁导致的宽带发射。XRD结果表明Mg^2＋添加浓度从x=0．1～1．0增加，Mg^2＋离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格。Mg^2＋离子添加浓度x=0．1时对Sr2Al2SiO7：Eu^2＋发射光谱影响不大，Sr1．9Mg0.1Al2SiO7：Eu0.02^2＋发射主峰仍位于500nm；z〉0．2后，Mg^2＋离子取代Sr^2＋离子使晶体场强度减弱，Eu^2＋离子5d能级晶场劈裂减小，导致Sr2-xMgxAl2SiO7：Eu^2＋发射峰蓝移至460nm。