烧结温度对含有定向α-Si3N4晶须的Si3N4陶瓷的影响 |
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作者姓名: | 李君 陈斐 张东明 沈强 张联盟 |
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作者单位: | 李君(武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070);陈斐(武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070);张东明(武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070);沈强(武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070);张联盟(武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070) |
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基金项目: | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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摘 要: | 利用流延成型使α-Si3N4晶须在基体中定向排列,并采用热压烧结技术制备了SGN4陶瓷.用X射线衍射和扫描电镜对陶瓷的物相和显微结构进行了研究,讨论了流延成型对坯体中晶须的分布状态的影响和烧结条件对所得到的块体的显微结构的影响.结果表明:流延成型和热压烧结可以使晶须呈一维定向排布;随着烧结温度的升高,烧结样品的相对密度增大;添加10.6%质量分数)α-Si3N4晶须在1500℃下烧结,Si3N4陶瓷的断裂韧性为9.24MPa·m1/2,Vickers硬度为15.740Pa.在1 600℃α-Si3N4转变成的长柱状β-Si3N4颗粒,大大提高了Si3N4陶瓷的力学性能,其断裂韧性和Vickers硬度分别为10.26MPa·m1/2和16.56GPa.
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关 键 词: | 氮化硅 晶须 流延成型 热压烧结 力学性能 |
文章编号: | 0454-5648(2008)S1-0103-05 |
修稿时间: | 2007-08-10 |
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