基于SiGe BiCMOS工艺的8GS/s采样保持电路

为实现数字通信对高速模数转换器的要求，基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构，利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术，有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度，并提高了电路的驱动能力。测试结果发现，在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下，有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。