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新型硫卤玻璃的光电性质
引用本文:王德强,陈玮,程继健. 新型硫卤玻璃的光电性质[J]. 功能材料, 2000, 31(3): 316-318
作者姓名:王德强  陈玮  程继健
作者单位:华东理工大学无机材料研究所!上海200237
摘    要:研究了含有一价碱金属卤化物的Ga2S3-GeS2-KCl和Ga2S3-GeS2-KBr系统玻璃的制备与某些典型玻璃的光学、电学和离子交换性质。结果表明:正是诉透过范围从0.42-11.5μm,玻璃的电导率在23℃时为10^-10-10^-11S/cm;270℃时为10^-5-10^-8S/cm。通过采用特殊的工艺和熔盐成功地对这类玻璃进行了离子交换,其交换深度可从几个μm到1000μm左右。此类玻

关 键 词:硫卤玻璃 光电性质 离子交换 红外材料
文章编号:1001-9731(2000)03-0316-03
修稿时间:1999-03-08

The Optoelectronic Properties of New Chalcohalide Glasses
WANG Deqiang,CHEN Wei,CHENG Jijian. The Optoelectronic Properties of New Chalcohalide Glasses[J]. Journal of Functional Materials, 2000, 31(3): 316-318
Authors:WANG Deqiang  CHEN Wei  CHENG Jijian
Affiliation:WANG Deqiang ,CHEN Wei ,CHENGJijian (Research Institute of Inorganic Materials,ECUST,Shanghai,200237,China)
Abstract:
Keywords:chalcohalide glass  optoelectronic properties  ion-exchange  infrared materials  
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