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| 电子迁移率达5 ×10~6cm~2/vs的GaAs结构 | |
| 作者姓名： | 吴光恒 |
| 摘 要： | 高电子迁移率材料对于基础研究和应用都有着很重要的意义。调制掺杂结构材料把离化了的杂质和电子运动的区域相互分开,使电子迁移率有了很大提高。而在低载流子密度下的高迁移率对二维有序状态的研究就更显得重要。但是,随着载流子面密度的降底,杂质散射迅速增大,因此,实现低密度 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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