| 基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计 |
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| 引用本文： | 唐昭焕,甘明富,钟怡,谭开洲,刘勇,杨永晖,胡刚毅,徐学良,李荣强.基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计[J].微电子学,2011,41(2). |
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| 作者姓名： | 唐昭焕 甘明富 钟怡 谭开洲 刘勇 杨永晖 胡刚毅 徐学良 李荣强 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
2. 模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划基金资助项目，微电子支撑技术基金资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制.该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率.通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管.该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制.
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| 关 键 词： | 半导体器件 NPN管 多晶外基区 集电极选择性注入 |
Design of High-Speed NPN Transistor Based on Poly-Silicon-Base and SIC Technology |
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| TANG Zhaohuan,GAN Mingfu,ZHONG Yi,TAN Kaizhou,LIU Yong,YANG Yonghui,HU Gangyi,XU Xueliang,LI Rongqiang.Design of High-Speed NPN Transistor Based on Poly-Silicon-Base and SIC Technology[J].Microelectronics,2011,41(2). |
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| Authors: | TANG Zhaohuan GAN Mingfu ZHONG Yi TAN Kaizhou LIU Yong YANG Yonghui HU Gangyi XU Xueliang LI Rongqiang |
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