| 深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响 |
| |
| 引用本文： | 李海霞,毛凌锋,查根龙.深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响[J].微电子学,2011,41(2). |
| |
| 作者姓名： | 李海霞 毛凌锋 查根龙 |
| |
| 作者单位： | 宿迁学院,江苏宿迁,223800 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响.模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响.但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略.
|
| 关 键 词： | 氧空位 栅漏电流 深亚微米器件 |
Effects of Oxygen Vacancy on Gate Leakage Current in Deep Submicron Device |
| |
| LI Haixia,MAO Lingfeng,ZHA Genlong.Effects of Oxygen Vacancy on Gate Leakage Current in Deep Submicron Device[J].Microelectronics,2011,41(2). |
| |
| Authors: | LI Haixia MAO Lingfeng ZHA Genlong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
