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毫米波硅基SiP模块设计
引用本文:张先荣. 毫米波硅基SiP模块设计[J]. 电讯技术, 2023, 63(5): 741-747
作者姓名:张先荣
作者单位:中国西南电子技术研究所,成都 610036
摘    要:设计了一款采用硅基板作为载体的毫米波上变频微系统系统级封装(System in Package, SiP)模块。该模块利用类同轴硅通孔(Through-Silicon-Via, TSV)结构解决了毫米波频段信号在转接板层间低损耗垂直传输的问题。该结构整体采用四层硅基板封装,并在封装完成后对硅基射频SiP模块进行了测试。测试结果显示,在工作频段29~31 GHz之间,其增益大于27 dB,端口驻波小于1.4,且带外杂散抑制大于55 dB。该毫米波硅基SiP模块具有结构简单、集成度高、射频性能良好等优点,其体积不到传统二维集成结构的5%,实现了毫米波频段模块的微系统化,可广泛运用于射频微系统。

关 键 词:毫米波上变频系统  硅基转接板  系统级封装(SiP)  硅通孔(TSV)

Design of a millimeter-wave SiP module based on silicon interposer
ZHANG Xianrong. Design of a millimeter-wave SiP module based on silicon interposer[J]. Telecommunication Engineering, 2023, 63(5): 741-747
Authors:ZHANG Xianrong
Affiliation:Southwest China Institute of Electronic Technology,Chengdu 610036,China
Abstract:
Keywords:
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