| 注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构 |
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| 引用本文： | 朱永法,曹立礼,R．G．Egdell. 注Sb/Bi氧化锡薄膜化学结构[J]. 真空科学与技术学报, 1994, 0(5) |
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| 作者姓名： | 朱永法 曹立礼 R．G．Egdell |
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| 作者单位： | 清华大学化学系!北京100084(朱永法，曹立礼)，英国牛津大学无机化学实验室(R．G．Egdell) |
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| 摘 要： | 运用俄歇化学效应和XPS研究了高能离子注入的Sb／Bi元素在氧化锡气敏膜中的存在形式。结果表明氧化锡薄膜在注入Sb后，Sb和SnOx物相产生相互作用形成了SbySnOx物种，该物种提高了气敏薄膜的导电性能。氧化锡薄膜高能离子注入Bi后，Bi并没有和SnOx相发生作用，而仍以金属Bi和Bi2O3两种物相存在。金属Bi的存在可以提高薄膜的导电性能以及提高对CO的气敏选择特性。
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| 关 键 词： | 注入 俄歇化学效应 导电性能 气敏膜 |
THE CHEMICAL STRUCTURE OF TIN OXIDE FILM IMPLANTED BY Sb OR Bi |
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| Zhu Yongfa, Cao Lili. THE CHEMICAL STRUCTURE OF TIN OXIDE FILM IMPLANTED BY Sb OR Bi[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1994, 0(5) |
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| Authors: | Zhu Yongfa Cao Lili |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Implanted Auger chemical effect Electronic conductivity Gas sensor film |
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