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| 微波等离子体CVD法制备β—SiC薄膜 | |
| 引用本文： | 欧阳世翕,程吉平.微波等离子体CVD法制备β—SiC薄膜[J].功能材料,1992,23(4):217-220. |
| 作者姓名： | 欧阳世翕 程吉平 |
| 作者单位： | 武汉工业大学新材料研究所，武汉工业大学新材料研究所，武汉工业大学新材料研究所，武汉工业大学新材料研究所，武汉工业大学新材料研究所 武汉 430070，武汉 430070，武汉 430070，武汉 430070，武汉 430070 |
| 摘 要： | 本研究采用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD),以三氯甲基硅烷和氢气为原料,在高纯石墨基片上制备出β-SiC多晶薄膜。随沉积条件不同,其薄膜有黑、灰、黄、褐等4种典型颜色。实验表明,氢气与三氯甲基硅烷的比率是影响薄膜外观颜色的最主要因素。XRD分析表明,黑色薄膜中存在游离碳,黄色及褐色薄膜中含有游离硅,仅灰色薄膜组分较纯。该法制备薄膜生长速度快且晶粒均匀细小。光电子能谱分析发现薄膜表面存在二氧化硅、吸附氧及CHx基团等,这是薄膜制备中的主要杂质。 |
| 关 键 词： | β－SiC薄膜 微波等离子体 |
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